Китай отчитался о разработке национального 22-нм техпроцесса
overclockers.ru Китайская газета "Правда" — Синьхуа (Xinhua) — опубликовала победный доклад о разработке в Китае национального MOSFET-транзистора с длиной затвора, равной 22 нм. Для страны, чей технологический потенциал едва начал раскрываться — это более чем значимое достижение.
Страна, чей потенциал "едва начал раскрываться" производит большую часть высокотехнологичной продукции.