Росэлектроника начинает производство 5G-транзисторов

Выходная мощность приборов — от 5 до 50 Вт, коэффициент усиления по мощности — от 9 до 13 дБ, КПД стока — не менее 45% на тестовой частоте 4 ГГц и 2,9 ГГц. Транзисторы полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек аппаратуры.
Транзисторы успешно прошли испытания в составе радиостанций и локационной аппаратуры для аэропортов, а также на дронах. Свыше 20 российских предприятий приступили к тестовой эксплуатации этих устройств.
Как ожидается, использование мощных транзисторов на основе нитрида галлия приведет к значительному уменьшению размеров блоков питания, адаптеров и зарядных устройств. С их помощью можно будет принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов, а в сетях связи они позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот, сообщает сайт госкорпорации «Ростех».
Согласно недавнему докладу Ericsson Mobility Report, уже через шесть лет протокол 5G будет использовать миллиард жителей Земли. Первые коммерческие сети на основе 5G New Radio (NR) можно ожидать уже в 2019, а масштабное распространение начнется с 2020. Первыми преимуществами этого протокола связи смогут воспользоваться жители США, Южной Кореи, Китая и Японии. Кстати, недавно компания Samsung испытала в Японии работу протокола 5G в движущемся высокоскоростном поезде.

> В транзисторе?!

Надо было написать чип, или процессор?

> но хуже тем, что она имеет меньшее КПД и более низкие рабочие температуры, что важно для мощных транзисторов.

Странно. Я всегда думал, что высокая температура, это беда.