КНР намерена выпускать DRAM и 3D NAND последних поколений

3dnews.ru — Свежеиспеченный китайский производитель компьютерной и энергонезависимой памяти 3D NAND — компания Yangtze Memory Technologies определилась с видом и поколением будущей продукции, которую она начнёт выпускать с 2018 года. Микросхемы DRAM «национальной» памяти стартуют с техпроцесса 18–20 нм, а «национальная» память 3D NAND начнёт свой жизненный путь с 32-слойного поколения. Также до конца года будет представлен разработанный техпроцесс для производства 64-слойной 3D NAND.